恩智浦半導(dǎo)體公司今天宣布,將生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GaN)技術(shù)整合到其多芯片模塊平臺(tái),是5G能效的一個(gè)重要行業(yè)里程碑,通過在單個(gè)器件中采用LDMOS和GaN的專有組合進(jìn)一步提高了性能,提供了400MHz的瞬時(shí)帶寬,使其能夠用單個(gè)功率放大器設(shè)計(jì)寬帶無線電。
恩智浦半導(dǎo)體公司今天宣布,將生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)(GaN)技術(shù)整合到其多芯片模塊平臺(tái),是5G能效的一個(gè)重要行業(yè)里程碑,通過在單個(gè)器件中采用LDMOS和GaN的專有組合進(jìn)一步提高了性能,提供了400MHz的瞬時(shí)帶寬,使其能夠用單個(gè)功率放大器設(shè)計(jì)寬帶無線電。
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