華為技術(shù)有限公司公開(kāi)“芯片、芯片的制造方法和電子設(shè)備”專利,公開(kāi)號(hào)為CN113113367A。本申請(qǐng)屬于芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域,采用本申請(qǐng),通過(guò)在相鄰兩個(gè)硅片之間安裝導(dǎo)熱片,可以將硅片上的熱量傳導(dǎo)至導(dǎo)熱片上,降低硅片上的溫度,提升芯片的散熱能力,進(jìn)而可以避免大量的熱量在硅片上聚積而出現(xiàn)芯片燒壞的情況。
華為技術(shù)有限公司公開(kāi)“芯片、芯片的制造方法和電子設(shè)備”專利,公開(kāi)號(hào)為CN113113367A。本申請(qǐng)屬于芯片散熱技術(shù)領(lǐng)域,采用本申請(qǐng),通過(guò)在相鄰兩個(gè)硅片之間安裝導(dǎo)熱片,可以將硅片上的熱量傳導(dǎo)至導(dǎo)熱片上,降低硅片上的溫度,提升芯片的散熱能力,進(jìn)而可以避免大量的熱量在硅片上聚積而出現(xiàn)芯片燒壞的情況。
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