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時代電氣:中車時代半導(dǎo)體擬4.62億元進(jìn)行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目

  時代電氣公告,公司控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進(jìn)行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目,項(xiàng)目建設(shè)工期24個月。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。

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