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中科大在InGaAs單光子探測芯片取得重要進展

  據(jù)澎湃新聞消息,近日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)光學(xué)與光學(xué)工程系教授王亮課題組設(shè)計并制備的InGaAs(砷化銦鎵)單光子探測器芯片取得重要進展。前述團隊通過設(shè)計金屬—分布式布拉格反射器優(yōu)化單光子探測器芯片的光學(xué)性能,完成低本征暗計數(shù)的單光子探測器芯片的全自主化設(shè)計與制備,實現(xiàn)了單光子探測器芯片的全國產(chǎn)化,為解決我國前沿科技問題邁進了重要一步。相關(guān)成果在線發(fā)表于電子工程技術(shù)領(lǐng)域期刊Journal of Lightwave Technology。

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