安世半導(dǎo)體消息,公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。
安世半導(dǎo)體消息,公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。
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