成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素,不過業(yè)界正從最原始的晶體生長以及襯底加工環(huán)節(jié)來進一步降低成本,這包括TSSG晶體生長法、激光切割技術(shù)等。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析,隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術(shù),預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4億美元。
成本是限制SiC功率元件大規(guī)模應(yīng)用的核心因素,不過業(yè)界正從最原始的晶體生長以及襯底加工環(huán)節(jié)來進一步降低成本,這包括TSSG晶體生長法、激光切割技術(shù)等。根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析,隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術(shù),預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4億美元。
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