據(jù)湖北日報，東風公司旗下智新半導體已成功研制出基于第3代半導體碳化硅的功率模塊，能實現(xiàn)更低損耗、更高效率，承受更高溫度、更高電壓。搭載到整車上后，能進一步提升車輛續(xù)航里程，減少整車成本。智新半導體已投產(chǎn)的IGBT模塊，能夠滿足車規(guī)級產(chǎn)品的高可靠性要求，比同類進口產(chǎn)品至少便宜10%以上。目前，智新半導體正啟動IGBT模塊二期項目建設方案，年產(chǎn)能將達到120萬只，預計2024年建成，不僅能滿足東風公司到2025年產(chǎn)銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求，還能為其他車企供貨。