業(yè)內(nèi)人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近已向一些客戶(hù)交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，上述人士表示，推出192層3D NAND閃存芯片，是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一個(gè)里程碑。該公司正努力在技術(shù)競(jìng)賽中趕上規(guī)模更大的韓國(guó)和美國(guó)同行。(愛(ài)集微)